①过流损伤。
为防止IGBT产生“擎住效应”，电路设计时应保证IGBT的最大工作电流不能超过IGBT的IDM值，并注意到可以适当增加驱动电阻RG的方法延长关断时间，减小IGBT的di/dt。IGBT生产厂家一般建议加-5V左右的反偏电压，驱动电压较低，在过流时间较长时，IGBT生产厂家一般建议加-5V左右的反偏电压。负偏压条件下，驱动IGBT需要设计负偏压力，驱动IGBT时，漏极电流可以在5~10μs范围内超过额定电流的4~10倍。由于易事特UPS电源的负载冲击特性不同，并且供电设备可能出现电源故障短路，因此在UPS设计中还需要采取限流措施来限制IGBT的电流限制，考虑使用IGBT厂商提供的驱动厚膜电路。例如FUJI公司的EXB841.EXB840、三菱公司的M57959AL、57962CL，这些都可以检测IGBT的集电极电压，如果IGBT出现过电流，内部电路就会封闭驱动。根据IR公司的资料，IR公司建议的短路保护方法为：先检测通态压降Vce，然后再对IGBT进行测试，如果Vce超出设置值，那么保护电路立即使驱动电压下降到8V，从而使IGBT从饱和状态转到放散，从而增加通态电阻。短路回路，通过4us连续检测通态压降Vce，假如正常，驱动电压会恢复正常，假如没有恢复，驱动电压将被封闭，根据最新三菱公司IGBT资料，将集电极电流减至零，从而可避免快速关断引起IGBT过大的di/dt损坏IGBT，另外，三菱推出的F系列IGBT的全内含过流限制电路(RTCcircuit)，在10us内产生电流时，IGBT的启动电压降低到9V；与M57160AL驱动的厚膜电路相比，能迅速地保护IGBT。
②过压损坏。
过压损的预防措施包括：优化主电路的工艺结构，通过缩小大电流回路来降低线寄生电感；适当增加IGBT驱动电阻Rg，降低开关速度(但是开关损耗也增大)；设计缓冲电路，以对尖峰电压进行按住。缓冲器中所用的二极管需要快速恢复的二极管，电容必须为高频，损耗小，频率特性好的薄膜电容。从而达到良好的吸收性。一般的电路有耗能式和回馈型缓冲电路。反馈式又分为被动式和主动式，其具体电路设计见所选器件的技术说明书。
